Samsung представи цялостна карта на технологичните процеси

Samsung Electronics представи цялостна карта на технологичните процеси, за да помогне на потребителите да създават и произвеждат по-бързи и по-мощни чипове. От хипер мащабни центрове за данни до Интернет на нещата, тенденциите в индустрията за разработване на интелигентни, непрекъснато свързани устройства, изискват предоставянето на безпрецедентен достъп до информация по нови и мощни начини. Samsung ще поведе индустрията, благодарение на своите 8-нм, 7-нм, 6-нм, 5-нм, 4-нм и 18-нм FD-SOI процеси в своята най-нова технологична карта.

"Универсалната природа на интелигентните, свързани машини и потребителските устройства сигнализира за началото на следващата индустриална революция. За да бъдат конкурентоспособни в днешната бързо развиваща се бизнес среда и да постигнат своите бизнес цели, нашите клиенти се нуждаят от партньор с цялостна карта на технологичните процеси", каза Джонг Шик Юън, изпълнителен вицепрезидент на Foundry Business в Samsung Electronics.

Най-новите технологични процеси и решения на Samsung, представени на годишната конференция Samsung Foundry Forum, включват:

• 8LPP (8nm Low Power Plus): 8LPP осигурява конкурентното предимство на мащаба преди прехода към EUV (Extreme Ultra Violet) литография. Комбинирайки ключови иновации в 10-нанометровата технология на Samsung, 8LPP предлага допълнителни предимства в областта на производителността и плътността в сравнение с 10LPP.

• 7LPP (7nm Low Power Plus): 7LPP ще бъде първата технология за полупроводници, която ще използва EUV литография. 250W от максималната мощност на EUV, която е най-важният крайъгълен камък за внедряването на EUV в производството с голям обем, бе разработена съвместно от Samsung и ASML. Внедряването на EUV литографията ще преодолее бариерите на мащаба в закона на Мур.

• 6LPP (6nm Low Power Plus): 6LPP използва уникалните решения за смарт скалиране, които ще бъдат внедрени в EUV-базираната технология 7LPP, позволявайки по-голямо оразмеряване на площта и предимства от ултра ниска мощност.

• 5LPP (5nm Low Power Plus): 5LPP разширява физическата граница на скалиране на FinFET структурата чрез внедряване на технологични иновации от следващото поколение за по-добро мащабиране и намаляване на мощността.

• 4LPP (4nm Low Power Plus): 4LPP ще бъде първата реализация на следващото поколение архитектура за устройства - MBCFETTM структура (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM е уникалната технология на GAAFET (Gate All Around FET) на Samsung, която използва устройството Nanosheet за преодоляване на физическите ограничения на мащаба и производителността на FinFET архитектурата.

• FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): Samsung постепенно ще развие своята 28FDS технология в по-широка платформа чрез внедряване на опции за RF (Radio Frequency) и eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory). 18FDS е процес от следващо поколение в FD-SOI картата на компанията, отличаващ се с подобрена PPA (Power / Performance / Area).